DatasheetsPDF.com

EMB45A06G

Excelliance MOS
Part Number EMB45A06G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB45A06G PDF File

EMB45A06G
EMB45A06G

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.
)  45mΩ  ID  6A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB45A06G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  6  4.
5  24  Avalanche Current  IAS  15  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  7.
2  3.
6  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  ...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)