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EMB60A06G

Excelliance MOS
Part Number EMB60A06G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB60A06G PDF File

EMB60A06G
EMB60A06G

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.
)  60mΩ  ID  5A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  Avalanche Current  IAS  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.
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