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EMBA0A10G

Excelliance MOS
Part Number EMBA0A10G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  100V  RDSON (MAX...
Datasheet PDF File EMBA0A10G PDF File

EMBA0A10G
EMBA0A10G

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  100V  RDSON (MAX.
)  100mΩ  ID  3.
5A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Dut...


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