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EMB12N03H

Excelliance MOS
Part Number EMB12N03H
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB12N03H PDF File

EMB12N03H
EMB12N03H

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  11.
5mΩ  ID  25A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB12N03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  25  20  100  Avalanche Current  IAS  30  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=30A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  45  22.
5  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Ra...


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