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EMB09N03HR

Excelliance MOS
Part Number EMB09N03HR
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  9....
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EMB09N03HR
EMB09N03HR

Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  9.
5mΩ  ID  50A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB09N03HR LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  50  35  140  Avalanche Current  IAS  37.
5  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=37.
5A, RG=25Ω L = 0.
05mH  EAS  EAR  70  15  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Rang...


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