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EMC13N08E

Excelliance MOS
Part Number EMC13N08E
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  75V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMC13N08E PDF File

EMC13N08E
EMC13N08E

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  75V  D RDSON (MAX.
)  13mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
5mH, ID=40A, RG=25Ω  L = 0.
1mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYP...


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