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EMDE0N20E

Excelliance MOS
Part Number EMDE0N20E
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMDE0N20E PDF File

EMDE0N20E
EMDE0N20E

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.
)  0.
5Ω  ID  7A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 1mH, ID=1.
5A, RG=25Ω  L = 0.
5mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPI...


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