DatasheetsPDF.com

EMB08N03A

Excelliance MOS
Part Number EMB08N03A
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB08N03A PDF File

EMB08N03A
EMB08N03A


Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  8mΩ  ID  55A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB08N03A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  55  38  150  Avalanche Current  IAS  40  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=40A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  80  40  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  50  20  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  TH...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)