DatasheetsPDF.com

EMB17A03V

Excelliance MOS
Part Number EMB17A03V
Manufacturer Excelliance MOS
Description Dual N-Channel MOSFET
Published Oct 5, 2016
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB17A03V PDF File

EMB17A03V
EMB17A03V

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.
)  17mΩ  ID  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB17A03V LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  10  7  40  Avalanche Current  IAS  12  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=10A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  5  2.
5  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)