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SVF2N65M Datasheet

MOSFET

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SVF2N65M pdf
士兰微电子
SVF2N65CF/M 说明书
2A650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N65CF/M/MJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体
管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开
关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高
H PWM 马达驱动。
特点
2A650VRDS(on)(典型值)=4.3@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
命名规则
SVF XNEXXCX
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字;
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
产品规格分类
产品名称
SVF2N65CF
SVF2N65CM
SVF2N65CMJ
SVF2N65CD
SVF2N65CDTR
封装形式
TO-220F-3L
TO-251D-3L
TO-251J-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
打印名称
SVF2N65CF
SVF2N65C
SVF2N65C
SVF2N65CD
SVF2N65CD
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
23
TO-251J-3L
1 23
TO-251D-3L
1
3
TO-252-2L
1 2 3 TO-220F-3L
封装外形标识
例如:F:TO-220F; M:TO-251D
MJ: TO-251J; D:TO-252
版本
额定耐压值,采用2位数字
例如:60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识,通常省略
例如:E 表示内置了ESD保护结构
材料
无卤
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
料管
料管
料管
编带
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.0
9页 第1
Silan Microelectronics
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