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SVD50N06M Datasheet

MOSFET

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SVD50N06M datasheet pdf
士兰微电子
SVD50N06T/D/M/MJ 说明书
50A60V N沟道增强型场效应管
描述
SVD50N06T/D/M/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应
晶体管采用士兰微电子新型平面低压 VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器,低功率开关电源。
特点
50A60VRDS(on)(典型值)=18m@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
3
TO-252-2L
1
23
TO-251J-3L
1
23
TO-251D-3L
1
23
TO-220-3L
命名规则
SVDXNEXXX
士兰VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字;
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
封装外形标识
例如:T:TO-220; D:TO-252;
M:TO-251D; MJ:TO-251J
额定耐压值,采用2位数字
例如:60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识,通常省略
例如:E 表示内置了ESD保护结构
产品规格分类
产品名称
SVD50N06T
SVD50N06D
SVD50N06DTR
SVD50N06M
SVD50N06MJ
封装形式
TO-220-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-251D-3L
TO-251J-3L
打印名称
SVD50N06T
SVD50N06D
SVD50N06D
SVD50N06M
SVD50N06MJ
材料
无铅
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
料管
编带
料管
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.5 2015.02.13
9页 第1
Silan Microelectronics
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