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F1047B Datasheet

Infrared Emitting Diode Chip

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F1047B pdf
www.DataSheet4U.com
GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm)
F 1047A
F 1047B
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
TOPLED® Gehäuse
Chipgröße 300 x 300 µm2
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Lieferung: vereinzelt auf Folie
Features
Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
TOPLED® package.
Chipsize: 300 x 300 µm²
Very highly efficient GaAlAs LED
High reliability
High pulse handling capability
Good spectral match to silicon photodetectors
Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Delivery: diced on foil
Anwendungen
IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Lichtschranken bis 500 kHz
Sensorik
Diskrete Optokoppler
Applications
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
Remote control for steady and varying
intensity
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Sensor technology
Discrete optocouplers
Typ
Type
F 1047A
F 1047B
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1386
on request
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss
Infrared emitting die, top side cathode connection
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss,
Oberfläche aufgerauht.
Infrared emitting die, top side cathode connection, surface
frosted
2003-04-11
1
Osram Opto Semiconductors
Osram Opto Semiconductors



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