Home >> EMZFA1P03Z Search >> Excelliance MOS EMZFA1P03Z Datasheet

EMZFA1P03Z Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMZFA1P03Z pdf
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
110mΩ 
ID  ‐2.4A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
395°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/9/2 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
EMZFA1P03Z
LIMITS 
±12 
2.4 
1.8 
9.6 
1.3 
0.84 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
95 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMZFA1P03*

[ EMZFA1P03Z Excelliance MOS ]     [ EMZFA1P03Z Excelliance MOS ]    


Searches related to EMZFA1P03Z part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site