Home >> EMZF50P02J Search >> Excelliance MOS EMZF50P02J Datasheet

EMZF50P02J Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMZF50P02J pdf
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
RDSON (MAX.) 
44mΩ 
ID  ‐4A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection  up to 2KV HBM 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMZF50P02J
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±8 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
ID 
IDM 
4 
3.5 
16 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
1.25 
0.8 
55 to 150 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
 
JunctiontoLead4 
RJL   
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3100°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
4 RJA is the sum of the thermal impedance from junction to lead RJL and lead to ambient. 
 
 
100 
55 
V 
A 
W 
°C 
UNIT 
°C / W 
 
2015/3/12 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMZF50P02*

[ EMZF50P02J Excelliance MOS ]     [ EMZF50P02J Excelliance MOS ]    


Searches related to EMZF50P02J part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site