Home >> EMZB20P03L Search >> Excelliance MOS EMZB20P03L Datasheet

EMZB20P03L Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMZB20P03L pdf
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
24mΩ 
ID  ‐8A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation3 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMZB20P03L
LIMITS 
±25 
8 
6 
32 
10 
5 
2.5 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
JunctiontoLead 
SteadyState
RJL 
 
30 
JunctiontoAmbient4 
t    10s 
SteadyState
RJA 
 
 
50 
90 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The power dissipation PD is based on TJ(MAX)=150°C, using  10s junctiontoambient thermal resistance. 
2015/9/2 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMZB20P03*

[ EMZB20P03L Excelliance MOS ]     [ EMZB20P03L Excelliance MOS ]    


Searches related to EMZB20P03L part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site