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EMS20D06E Datasheet

Schottky Rectifier

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EMS20D06E pdf
 
 
Dual HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
  Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=10A 
IF(AV) 
60V 
0.4V 
2 x 10A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
Per device
Per diode 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
IFSM 
Peak Repetitive Reverse Current @ tp = 2 μs, 1 kHz, 
TJ = 38 °C ± 2 °C per Diode 
IRRM 
Nonrepetitive Avalanche Energy @ TJ = 25 °C, L = 60 mH per Diode
EAS 
Voltage rate of change (rated VR) 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
dV/dt 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
2015/4/2 
EMS20D06E
LIMITS 
60 
20 
10 
180 
1 
150 
10000 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
V/μs 
°C 
MAXIMUM 
2.8 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



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