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EMS10C10UC Datasheet

Schottky Rectifier

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EMS10C10UC pdf
 
 
HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
  Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=10A 
IF(AV) 
100V 
0.58V 
10A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
IFSM 
Peak Repetitive Reverse Current @ tp = 2 μs, 1 kHz, 
TJ = 38 °C ± 2 °C per Diode 
IRRM 
Nonrepetitive Avalanche Energy @ TJ = 25 °C, L = 60 mH per Diode
EAS 
Voltage rate of change (rated VR) 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
dV/dt 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2014/2/24 
EMS10C10UC
LIMITS 
100 
10 
150 
1 
150 
10000 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
V/μs 
°C 
MAXIMUM 
8 
60 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



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