Home >> EMBA5N10G Search >> Excelliance MOS EMBA5N10G Datasheet

EMBA5N10G Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMBA5N10G pdf
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
150mΩ 
ID  4A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=4A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMBA5N10G
LIMITS 
±20 
4 
2.8 
16 
4 
0.8 
0.4 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/10/8 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMBA5N10*

[ EMBA5N10A Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10CS Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10G Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10V Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10A Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10CS Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10G Excelliance MOS ]     [ EMBA5N10V Excelliance MOS ]    


Searches related to EMBA5N10G part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site