Home >> EMB07N04H Search >> Excelliance MOS EMB07N04H Datasheet

EMB07N04H Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMB07N04H pdf
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
7mΩ 
ID  55A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=50A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/5/6 
EMB07N04H
LIMITS 
±20 
55 
40 
150 
50 
125 
62.5 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMB07N04*

[ EMB07N04A Excelliance MOS ]     [ EMB07N04H Excelliance MOS ]     [ EMB07N03HR Excelliance MOS ]     [ EMB07N03V Excelliance MOS ]     [ EMB07N04A Excelliance MOS ]     [ EMB07N04H Excelliance MOS ]    


Searches related to EMB07N04H part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site