Home >> EMB03P03A Search >> Excelliance MOS EMB03P03A Datasheet

EMB03P03A Datasheet

Field Effect Transistor

No Preview Available !

EMB03P03A pdf
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.3mΩ 
ID 
85A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03P03A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
85 
65 
260 
Avalanche Current 
IAS  ‐80 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=80A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
320 
160 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
121 
48 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
1.03 
62.5 
°C / W 
2016/3/9 
p.1 
Excelliance MOS
Excelliance MOS



   PDF Click to Download PDF File

   PDF View for Mobile





Related Start with EMB03P03*

[ EMB03P03A Excelliance MOS ]     [ EMB03P03H Excelliance MOS ]     [ EMB03P03A Excelliance MOS ]     [ EMB03P03H Excelliance MOS ]    


Searches related to EMB03P03A part

Find Chips CBC RS online RUTRONIK 24
Component Distributors NexGen Digital Richardson RFPD ICC
Beyond Components NAC PEI-Genesis Powell Electronics
TME Ameya 360 Power & Signal Datasheets360
Freelance Electronics Sager Electronics Terminals & Connectors TTI

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z
@ 2014 :: DatasheetsPDF.com :: Semiconductors Datasheet Search & Download Site